Im Gegensatz zu anderen Verfahren kann MD-PICTS (mikrowellendetektierte spektroskopische Messung photoinduzierter Stromtransienten) Signale selbst aus dünnen Oberflächenbereichen (3 µm) von SI-GaAs-Proben erfassen und ist somit in der Lage, beispielsweise den Einfluss von Oberflächenbehandlungen zu analysieren. Abbildung 1 zeigt den Defektpeak des bekannten EL2-Defekts in Proben mit unterschiedlichen Akzeptorkonzentrationen.
Fig. 1: Detection of the EL2 defect in SI GaAs samples with different acceptor concentrations by MD-PICTS, peak height and sign correlate to the acceptor concentration
Verknüpfte Branchen und Applikationen: Epitaxieschichten und dünne Filme
