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Materialien

Hochentwickelte Materialforschung und -entwicklung – Einige Beispiele für Forschungsanwendungen,
  • Bestimmung der Eisenkonzentration

  • Bestimmung der Fallenkonzentration

  • Bestimmung der Bor- und Sauerstoffkonzentration

  • Injektionsabhängige Messungen und mehr

Si SiC Compound semiconductor Ge GaAs CdTe InP ZnS Perovskite Oxides Wide bandgap materials Epitaxial layers and more

Eigenschaften & Vorteile

Durchsatz
>240

Ziegel pro Tag

Geschwindigkeit
> 99%

Wiederholbarkeit

1 mm

Schnittkriterien für Ziegel mit den Maßen 156 × 156 × 400 mm

Qualität

Überwachung

Qualität

Überwachung

  • Berührungslose und zerstörungsfreie Lebensdauerbildgebung (μPCD/MDP (QSS)), Messung der Photoleitfähigkeit, des spezifischen Widerstands und der p/n-Prüfung gemäß dem Halbleiterstandard SEMI PV9-1110

  • Wafer-Schneiden, Ofenüberwachung, Materialoptimierung und mehr

  • Bester Durchsatz: >240 Bricks/Tag oder >720 Wafer/Tag

  • Messgeschwindigkeit: <4 Minuten für einen Standard-Brick mit den Maßen 156 x 156 x 400 mm

  • Ertragssteigerung: 1-mm-Schneidekriterium für einen Standard-Brick mit den Maßen 156 x 156 x 400 mm

  • Qualitätskontrolle: konzipiert für die Qualitätsüberwachung von Prozessen und Materialien wie mono- oder multikristallinem Silizium

  • Kontaminationsbestimmung: Metallkontaminationen (Fe) aus Tiegeln und Anlagen

  • Zuverlässigkeit: modulares und robustes Industriegerät für höhere Zuverlässigkeit und eine Betriebszeit von > 99 %

  • Wiederholbarkeit: > 99 %

  • Widerstandsfähigkeit: Kartierung des spezifischen Widerstands ohne häufige Kalibrierung

Fakten

  • Völlig berührungslose, zerstörungsfreie elektrische Charakterisierung von Halbleitern

  • spezielle „unter der Oberfläche“ liegende Lebensdauer-Messtechnik

  • hohe Empfindlichkeit zur Visualisierung bisher unsichtbarer Defekte

  • Automatisierte Definition von Schnittkriterien

  • Räumlich aufgelöste Erkennung der Umwandlung des p/n-Leitungstyps

Interesse? Unsere Experten unterstützen Sie gern.

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Zubehör & Konfigurationsmöglichkeiten

  • Schwankungen der Spotgröße

  • Widerstandsmessung (Ziegel/Wafer)

  • Hintergrund-/Bias-Licht

  • Reflexionsmessung (MDP)

  • LBIC

  • BiasMDP

  • LBIC für Solarzellen

  • LBIC, BiasMDP-Messstation mit Kontakten

  • Referenzwafer

  • Widerstandskalibriersatz (Blöcke/Wafer)

  • Interne Eisenkartierung von Si

  • P/N-Erkennung

  • Barcode-Lesegerät

  • Große Auswahl an Lasern

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