Elektrische Charakterisierung
Die Leistungsfähigkeit von Halbleiterbauelementen hängt grundlegend von den wesentlichen elektrischen Parametern des Materials und damit auch von der Defektdichte und deren elektrischen Eigenschaften ab.
Selbst in einem Einkristall kann die Kristallorientierung über die Oberfläche hinweg kleine Abweichungen aufweisen, die auf innere Spannungen zurückzuführen sind, die durch Gitterfehler verursacht werden. Auch ordnungsgemäß gewachsene Dünnschichten können eine interessante Orientierungsverteilung in der Ebene aufweisen.
Die Kartierung einer Oberfläche erfordert zahlreiche Messungen. Hier bietet die Omega-Scan-Methode den Vorteil der Schnelligkeit. Das Bild zeigt eine Orientierungskarte, die auf einem (Si, Ge)-Mischkristallwafer gemessen wurde. Die maximale Orientierungsabweichung beträgt 0,03°. Konzentrische Kreise folgen den Wachstumsringen des Kristalls.
Simulation von Trägerprofilen
Um ein besseres Verständnis der Lebensdauermessungen zu erlangen und eine bessere Vergleichbarkeit zwischen verschiedenen Messmethoden zu erreichen, ist es notwendig, Simulationen durchzuführen.
