Eindringtiefe verschiedener Laserwellenlängen in Silizium
Die mikrowelleninduzierte Photoleitfähigkeit misst die Photoleitfähigkeit nach der Bestrahlung der Probe mit Licht. In der Regel sollte das Licht eine Energie aufweisen, die höher ist als die Bandlücke, damit Elektronen und Löcher erzeugt werden. Für Silizium bedeutet dies, dass eine Wellenlänge von weniger als 1100 nm verwendet werden sollte. Sollten Oberflächen oder dünne Epitaxieschichten untersucht werden, kann es sinnvoll sein, sogar UV- oder blaues Licht zu verwenden, das eine deutlich geringere Eindringtiefe in Silizium aufweist. Abbildung 1 zeigt die Eindringtiefe in Silizium in Abhängigkeit von der Wellenlänge und gibt dem Anwender einen Hinweis darauf, welche Wellenlänge für seine Anwendung am besten geeignet ist.
Fig. 1: penetration depth in silicon versus wavelength
