Mit unserem fortschrittlichen MDP-Verfahren lassen sich die elektrischen Eigenschaften und Defekte einer Vielzahl von Halbleitermaterialien, Bauelementen und dielektrischen Materialien berührungslos und zerstörungsfrei untersuchen. Da es sich bei MDP um ein berührungsloses und zerstörungsfreies Verfahren handelt, ist keine Probenvorbereitung erforderlich. Die einzige Ausnahme bildet die Untersuchung der Volumeneigenschaften von beispielsweise Siliziumproben, bei der eine Oberflächenpassivierung vorzuziehen ist.
Es gibt keine Einschränkungen hinsichtlich der Probenform oder -größe, angefangen bei Nanomaterialpulvern bis hin zu 12-Zoll-Wafern.
Offensichtlich können alle auf dem Markt erhältlichen Halbleiter untersucht werden. Angefangen bei einer Vielzahl von elektronischem und multikristallinem Silizium. Aufgrund der hohen Empfindlichkeit lässt sich sogar die Qualität dünner Epitaxieschichten und von verspanntem Silizium charakterisieren. Untersuchungen wurden an GaAs, InP, SiC, GaN, Ge und anderen Verbindungshalbleitern durchgeführt. Die Liste wird ständig erweitert. Bislang sind nur wenige Einschränkungen bekannt.
