Die Eigenschaften eines Defekts und dessen Auswirkungen auf die Materialqualität lassen sich anhand von drei Hauptparametern beschreiben:
Defektkonzentration NT
Einfangquerschnitte für Elektronen und Löcher σn, σp
Aktivierungsenergie ET
All diese Eigenschaften sind Bestandteil der von uns verwendeten Simulationsmodelle und können neben der Defektkonzentration mit der temperaturabhängigen Methode MD-PICTS gemessen werden.