Hochpräzises Kartierungssystem auf der Grundlage der THz-Zeitbereichsspektroskopie für epitaktische Schichten auf hochdotierten Materialien
Zerstörungsfrei und berührungslos
Optimiert für dünne Schichten auf hochdotierten Substraten
Hohe räumliche Auflösung von 1 mm
Materialien
THzmap ist auf hochdotierte Materialien spezialisiert.
Eigenschaften & Vorteile
Sigma < 1 %
Sehr gute Wiederholgenauigkeit
± 5 %
Genauigkeit in Abhängigkeit von der Dicke
Durchsatz
> 5 Waffeln
pro Stunde
3 mm
Randausschluss
In der Halbleiterfertigung entscheidet ein Unterschied im Mikrometerbereich über Spitzenleistung oder Ausfall. Unser neuestes Kartierungssystem, das auf der Terahertz-Zeitbereichsspektroskopie (THz-TDS) basiert, stellt einen Durchbruch in der Charakterisierung dar – speziell entwickelt für Epitaxieschichten auf anspruchsvollen, stark dotierten Substraten.
Die Grenze der Leitfähigkeit überwinden
Herkömmliche optische und Wirbelstrommethoden haben oft Schwierigkeiten mit der hohen Absorption und Leitfähigkeit stark dotierter Substrate. Unsere THz-TDS-Technologie nutzt Messungen im Reflexionsmodus, um diese Einschränkungen zu umgehen, und ermöglicht so eine ultrapräzise Analyse von Epitaxieschichten, wo transmissionsbasierte Systeme versagen.
Messen Sie ohne Risiko einer Oberflächenverunreinigung oder mechanischer Beschädigung Ihrer Wafer. Visualisieren Sie die elektrische Homogenität über den gesamten Wafer mit räumlichen Auflösungen bis hinunter zu 1 mm und erkennen Sie Prozessabweichungen, bevor sie sich auf die Ausbeute auswirken. Ersetzen Sie langsame, zerstörende Methoden wie Mercury-CV oder SIMS durch eine schnelle, inline-fähige THz-Lösung.
Unser THz-TDS-Mapping-System liefert die entscheidenden Daten, die zur Optimierung der Reaktorleistung, zur Minimierung von Ausschuss und zur Gewährleistung der Zuverlässigkeit von Leistungselektronik und HF-Komponenten erforderlich sind.
In der Halbleiterfertigung liegt der Unterschied zwischen Spitzenleistung und Ausfall im Mikrometerbereich. Unser neuestes Mapping-System, das auf Terahertz-Zeitbereichsspektroskopie (THz-TDS) basiert, bietet einen Durchbruch in der Charakterisierung – speziell entwickelt für Epitaxieschichten auf anspruchsvollen, hochdotierten Substraten.
Für Volumenproben: 0,1 bis 100 Ohm·cm
Für Epitaxieschichten: 8 × 10¹⁵ cm⁻³ bis 4 × 10¹⁸ cm⁻³
Anwendungen
THzmap ermöglicht es, den nicht messbaren Epi-Widerstand auf hochdotierten Substraten genau zu messen.
Dr. Nadine Schüler
Leiter der Abteilung Forschung und Entwicklung
Spezifikationen
| Gemessener Parameter | Spezifischer Widerstand / Dotierungsdichte |
|---|---|
| Messprinzip | Berührungslose und zerstörungsfreie Terahertz-Zeitbereichsspektroskopie (THz-TDS) |
| Ergebnis | Vollflächige Wafer-Karten |
| Auflösung | 1 mm |
| Messzeit | 20 min für 12-Zoll-Wafer |
| Stromversorgung | 100 – 250 V (± 10), 5 A, einphasig |
| Abmessungen (B × H × T) | 670 × 490 × 810 mm |
| Mindestprobengröße | 10 × 10 mm |
| Maximale Probengröße | Wafer bis zu 150 mm Durchmesser (größere auf Anfrage) |
| Probendicke |
|
Zubehör & Konfigurationsmöglichkeiten
Automatisierung der Probenhandhabung möglich