MDP (mikrowellendetektierte Photoleitfähigkeit): empfindlich gegenüber bewegten, photogenerierten Ladungsträgern (Volumeneigenschaft)
SPV (Oberflächen-Photospannung): empfindlich gegenüber Oberflächen- UND Volumeneigenschaften in Bezug auf ALLE räumlich getrennten, photogenerierten Ladungsträger (beweglich oder eingefangen)
Die MDP-Methode ist nur auf mäßig dotierte Halbleiter oder nahezu perfekte optische Kristalle anwendbar
Die SPV-Methode gilt für alle photoaktiven Materialien, die eine räumliche Ladungstrennung ermöglichen (Halbleiter, Mehrschicht- und Mehrfachübergangsstrukturen, Molekülschichten, Pulver)
Die MDP-Methode kann als zeitabhängige Widerstandsmessung (DC) modelliert werden, tMDP
Die SPV-Methode kann als frequenz- und zeitabhängige Kapazitätsmessung (DC/Modulation) modelliert werden, tSPV
Bei einem nicht-idealen Halbleiter (mit Defekten) kann es zu einem großen Unterschied zwischen den beiden Methoden kommen; beide Methoden liefern komplementäre Informationen über Volumen- und Oberflächeneigenschaften
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