材料
高端的材料研发 研究应用的几个示例，
铁浓度测定
缺陷陷阱浓度测定
硼氧复合体含量检测
注入载流子浓度相关特性测试，以及其他多项测试功能
Si SiC Compound semiconductor Ge GaAs CdTe InP ZnS Perovskite Oxides Wide bandgap materials Epitaxial layers and more
特性与优势
吞吐量
>240
块/天
速度
> 99%
重复性
1 mm
156×156×400 mm砖的切割标准
质量
监控
非接触式、无损伤少子寿命成像检测（µPCD / MDP (QSS)），可依据光伏行业标准 SEMI PV9-1110 完成光电导、电阻率及硅片导电类型（P/N 型）检测。
晶圆切割监控、炉体工艺监测、材料优化等
最佳吞吐量：>240 块/天或 >720 片/天
测量速度：156 x 156 x 400 mm标准砖块 <4 分钟
良率提升：针对 156 x 156 x 400 mm 标准砖块，切割公差为 1 mm
质量控制：专为单晶或多晶硅等工艺和材料的质量监测而设计
污染物检测：源自坩埚和设备的金属（Fe）污染物
可靠性：模块化且坚固耐用的工业仪器，可靠性更高，设备综合稼动率高于 99%
重复性：> 99%
电阻率：无需频繁校准即可进行电阻率面扫描
产品特性
完全非接触式、无损的半导体电学性能表征
独有亚表层少子寿命检测技术，可探测硅料表层下方区域
超高检测灵敏度，能够成像显示以往难以观测的缺陷
可自动设定硅锭切割判定标准
具备空间分辨能力，可检测导电类型（P/N）区域转变分布
应用
配件与选项
光斑尺寸可调
电阻率测量（晶锭/晶圆）
背景光/偏置光
反射率测量（MDP）
LBIC
偏置MDP
太阳能电池光诱导电流检测(LBIC)
带电极接触的 LBIC、偏置 MDP 一体化检测载台
参考晶圆
电阻率校准套件（晶锭/晶圆）
硅材料内部铁杂质二维面扫描成像
P/N 检测
条形码读取器
多波段可选激光器
