您在寻找什么?
可使现有设备满足 200 mm、300 mm 硅锭高端晶向偏差与定位Notch精度指标要求
可让现有设备达到高端晶向偏差与定位Notch精度规格要求
全产线适配型晶圆晶向分布在线mapping检测方案
适用于高速晶体晶向检测、量产工况下晶体定位校准、品质管控、摇摆曲线测试、材料科研等多种场景。
整机结构紧凑,可从底面完成超高速晶体晶向检测
超快端面测量晶体取向,采用紧凑型封装
全自动在线式晶锭、晶棒与硅片坯定向及上下料处理系统
全自动晶圆、种子晶圆和单晶棒质量控制与分选多功能计量设备
石英棒、晶片和坯料的生产与质量控制
该产品即将推出
高精度电阻率Mapping系统 精准实现材料分析
超越极限的精度:面向电阻率测量的下一代太赫兹Mapping技术
高精度少子寿命表征,检测灵敏度出众
简易快速完成少子寿命检测
多功能定制化设备,用于测量硅样品(从硅砖到加工晶片)的少子寿命
用于半导体质量控制和材料研发的先进寿命测量系统
先进的单晶硅锭、硅砖和硅片质量控制解决方案
变温少子寿命测试系统,用于高端材料分析
高精度变温少子寿命测试系统,用于材料精准表征
高端高温少子寿命测试系统,用于深度材料性能分析
基于热释电效应测定晶体表面极性便携式检测系统
高分辨率、高灵敏度的表面光电电压测量解决方案
配备可调能量激发光源
专为集成到手套箱中而设计,可加热至 100°C,高分辨率,高灵敏度表面电压测量
宽波段双棱镜单色仪
专为智能生产环境设计的GWh级电池化成与测试方案
中试规模电池化成与测试:智能、测量驱动的过程控制
集成传感 + 先进充电控制,打造测量驱动的智能化电池化成
双面 PERC/PERC+、HIT、Topcon、晶体硅太阳能电池、迷你模块等的质量控制解决方案
超高灵敏度 TL/OSL 测量仪
业界领先 TL/OSL 测量仪
便携式OSL读数仪,可高效读取与擦除适配的个人辐射剂量计
业界领先的个人剂量OSL系统
Freiberg Instruments新型热释光测量仪
非破坏性释光 岩芯剖面分析新方法
符合 EN 13751:2009 标准,可用于辐照食品检测
台式X射线辐照机
用于CTA读出的PC控制式剂量测量设备,符合ISO/ASTM标准及FDA CFR 21第11部分规定
用于极端工况下高精度吸附测量的磁悬浮天平
全自动高灵敏度拉曼传感器,用于聚合物与半导体分选
辐射污染监测仪
用于运输容器测量的空间分辨探测器杆
高量程剂量率仪
便携式设备,配备 50 mm PIPS 探测器,浓度计算符合 ISO 11929 标准
伽马辐射监测仪
光生载流子产生与分离机制, 少子寿命测试 / 扩散长度计算, 时间分辨陷阱载流子动力学表征, 表面光电压(SPV)测试,
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我们目前正在开发基于固体物理的仿真工具,可实现对指定光活性材料或复合体系电子结构的第一性原理计算。 SPS/SPV 模拟工具可支持所有 SPS/SPV 设备用户,将实测数据与仿真场景进行对比验证,从而缩短新材料研发周期,同时可用于验证指定光活性材料配置的性能公差。 所有瞬态响应均可在10 ns至100…
MDP(微波探测光电导法):对可迁移的光生载流子敏感,表征材料体相特性, SPV(表面光电压法):对空间分离的所有光生载流子(无论可迁移或被捕获)的表面及体相特性均敏感, MDP 方法仅适用于中等掺杂半导体或近完美光学晶体, SPV 方法适用于所有可实现空间电荷分离的光活性材料,(包括半导体、多层和多结结构、分子层、粉体), MDP…
时间分辨或频率调制的表面光电压谱(SPS)基于对表面光电压(SPV)光谱依赖性的时间分辨/频率调制测量。它是一种强大的无损、非接触式表征方法,主要用于研究体材料、薄膜和异质结构的电子跃迁及光学性质。高灵敏度以及可在室温下进行测量是SPV方法的主要优势。另一优势在于无需在被测样品上制备前接触电极。通常,样品无需任何预处理即可直接测量,从而允许在宽温度范围和不同气氛条件下,于工作/工艺状…
使用此选项可在室温至200°C的不同温度下进行SPV测量。变温SPV测量可用于测量激活能,或原位研究温度相关的反应/过程。例如,通过这种方式可以研究表面或体相中缺陷的修复或引入。 对于宽禁带半导体,与带边相关的SPV信号起始能量通常并不尖锐和明确。通过改变温度,可以在不同温度下测量起始能量,从而更准确地估算带边能量。 某些光催化材料具有工程化的缺陷态,可加速电荷分离。在大规模生产中,…
从原材料到成品器件的任何光活性材料:从粉末样品、晶圆到晶锭或晶锭, 尺寸从10×10 mm² 到最大直径300 mm, 涵盖二氧化钛、硅及氮化铝(1000多种材料),