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可快速、便捷地完成单点少子寿命检测。

  • 单点测量

  • 晶片和铸锭

  • 灵活的低成本工具

材料

MDPspot 可对绝大多数半导体材料开展少子寿命表征,操作简便、检测高效,在不损失测试精度的同时,大幅简化作业流程。

Si SiC Ge GaN GaAs InP and more

特性与优势

355-1550 nm

可用波长

10 ns

时间分辨率

> 99 %

可重复性

灵活
测量

适用于晶圆和晶锭

灵活
测量

适用于晶圆和晶锭

  • 半导体材料非接触式、无损电性能表征

  • 包含μ-PCD测量选项

  • 检测灵敏度优异,可识别以往难以观测的缺陷,并完成外延层分析

  • 可集成多达四台激光器,以实现宽注入水平

  • 可调取单次瞬态信号原始数据与全域图谱,满足深度分析需求

  • 支持对单片晶圆进行分析

  • 针对不同晶圆类别提供不同的工艺配方

  • 对材料、工艺质量和稳定性的监控


台式单点测试仪

本设备体积小巧、性价比高,可对不同制备阶段的各类半导体材料开展少子寿命检测。设备未集成自动化机构,应用场景灵活多样。

  • 高性价比设计:经济实用,可稳定完成少子寿命检测工作。

  • 广泛兼容性:适用于从薄晶圆到厚度达 156 mm的块状材料等各类半导体样品。

  • 可选 Z 轴调节:提供手动 Z 轴调节功能,便于精确处理较厚的样品。

  • 直观的软件:标配专业软件,检测结果可视化清晰,支持数据分析。

该设备操作简便、检测高效,可有效简化检测流程。

 

感兴趣吗?我们的专家很乐意为您提供帮助。

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技术规格

 单晶或多晶硅片、硅砖、电池,以及经过钝化或扩散等不同加工工序后的硅片
样品尺寸大于 50 x 50 mm² 至 12 英寸或 210 x 210 mm²
电阻率0.2 - 10³ Ohm·cm
材料硅片、硅砖、部分或完全加工过的硅片、化合物半导体及其他材料
可测量的性质载流子寿命
尺寸360 x 360 x 520 mm,重量:16 kg
电源110/220 V,50/60 Hz,3 A

 

配件与选项

我们的设备提供多种配置选项,可有效满足具体需求。每款机型均可进行定制,以确保最大的灵活性和效率。

如需了解更多信息,请联系我们

  • 光斑尺寸可调

  • 电阻率测量(晶圆)

  • 背景光/偏置光

  • 反射率测量(MDP)

  • 软件扩展

  • 附加激光器

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欢迎随时联系我们——我们将竭诚为您解答任何疑问或处理您的请求。

请使用我们的咨询工具,或通过电子邮件联系我们:
sales@freiberginstruments.com.cn