用于寿命模拟的广义速率方程
该数值工具基于一个广义速率方程组，该方程组用于求解禁带内缺陷能级与半导体能带之间所有可能的跃迁。唯一的近似之处在于，未考虑缺陷能级之间的相互作用。由于硅中的缺陷密度通常较低，因此这是一个有效的近似。
所采用的速率方程组描述了导带、价带以及缺陷能级中载流子浓度的时变过程。该方程组包含光生和热生速率、带间及俄歇复合速率，以及所有缺陷（Cj、Dj、Ej、Fj）的载流子捕获和发射速率。 过渡速率在描述中未作任何近似处理。
\(\dot{n} = G^0_{BB} + G^th_{BB} + \sum_{j}(C_j - D_j) - R_{BB} - R_{Aug}\)
\(\dot{p} = G^0_{BB} + G^th_{BB} + \sum_{j}(F_j - E_j) - R_{BB} - R_{Aug}\)
\(\dot{n}_{Tj} = D_j + E_j - C_j - F_j\)
Fig. 1: energy scheme of all transition rates that are included into the simulations
根据模拟得到的随时间变化的载流子浓度，可利用 DORKEL 和 LETURCQ [2] 的迁移率模型计算出光导电率。当 Gopt 设为零后，可从光导电率的瞬态响应中提取出少数载流子寿命。
与SRH模拟或PC1D相比的优势
寿命不是一个参数，而是直接结果
也可模拟非稳态过程
可包含任意数量 j 的缺陷能级
该数值模拟工具适用于模拟注入和温度依赖性测量，用于研究捕获效应对寿命和光导度的影响，以及比较MDP与µPCD或其他测量条件。总而言之，该模拟工具使寿命测量结果更具可比性，并有助于更好地理解测量结果。
Fig. 2: varying Et
Fig. 3: varying Nt
Fig. 4: varying σp
有关这些模拟的更多信息，请参见：
[1] T. Hahn, Thesis, TU Bergakademie, 2009
[2] J. M. Dorkel and P. Leturcq, Solid-State Electronics 24, 821-825 (1981)
