前沿研发方案 —— 无损检测、适配性强、检测高效
先进的微波系统带来高灵敏度
为您的所有材料量身定制激光和光学集成系统
同步电阻率测量和其他选项
材料
MDPmap 配备了多种先进的激光器，可对几乎所有类型的半导体进行全面的电学表征。
Si SiC Ge GaAs Ga₂O₃ InP Diamond and more
特性与优势
355-1550 nm
可用波长
10 ns
时间分辨率
> 99 %
可重复性
电阻率
0.3-5
Ohm cm
适用于研发与产线监控的多功能面扫描检测工具
MDPmap 是一款紧凑型台式非接触式电性能检测设备，适用于离线生产管控与研发场景。设备可在稳态或短脉冲激发（μ-PCD）模式下，于宽泛载流子注入区间内完成载流子寿命、光电导率、电阻率及缺陷状态等参数检测。自动样品识别和参数设置功能使其能够轻松适应各种不同的样品，涵盖外延层，以及从原生硅片到金属化率高达 95% 的各制程晶圆。
MDPmap 核心优势在于灵活性极强：最多可集成四台激光器，既可用于从超低注入到高注入的注入水平依赖型寿命测量，也可通过使用不同激光波长进行纵向深度信息剖析。该设备包含偏置光功能，并提供 μ-PCD 或稳态注入条件选项。 用户可自定义不同面扫描的计算方案，并能导出原始数据以供进一步分析。针对标准计量任务，预设的标准程序支持一键完成常规测量。
Lifetime map of passivated multicrystalline silicon
Iron contamination map of multicrystalline silicon
Bor oxygen map of mono silicon
Trap density map of mono silicon
应用
技术规格
| 样品尺寸 | 直径最大 300 mm（标准），直径最大 450 mm（可定制），最小尺寸 5 × 5 mm |
|---|---|
| 寿命范围 | 20 ns至数毫秒 |
| 电阻率 | 0.2 - >10³ Ohm·cm，p/n |
| 材料 | 硅片、外延层、部分或完全加工过的晶圆、化合物半导体及其他 |
| 可测量的特性 | 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS)、光电导率 |
| 激发 | 可在 355 nm 至 1480 nm 范围内选择最多四个不同波长。980 nm（默认） |
| 尺寸 | 680 x 380 x 450 mm，重量：约 65 kg |
| 电源 | 100 - 250V，50/60 Hz，5 A |
