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可使现有设备满足 200 mm、300 mm 硅锭高端晶向偏差与定位Notch精度指标要求
可让现有设备达到高端晶向偏差与定位Notch精度规格要求
全产线适配型晶圆晶向分布在线mapping检测方案
适用于高速晶体晶向检测、量产工况下晶体定位校准、品质管控、摇摆曲线测试、材料科研等多种场景。
整机结构紧凑,可从底面完成超高速晶体晶向检测
超快端面测量晶体取向,采用紧凑型封装
全自动在线式晶锭、晶棒与硅片坯定向及上下料处理系统
全自动晶圆、种子晶圆和单晶棒质量控制与分选多功能计量设备
石英棒、晶片和坯料的生产与质量控制
该产品即将推出
高精度电阻率Mapping系统 精准实现材料分析
超越极限的精度:面向电阻率测量的下一代太赫兹Mapping技术
高精度少子寿命表征,检测灵敏度出众
简易快速完成少子寿命检测
多功能定制化设备,用于测量硅样品(从硅砖到加工晶片)的少子寿命
用于半导体质量控制和材料研发的先进寿命测量系统
先进的单晶硅锭、硅砖和硅片质量控制解决方案
变温少子寿命测试系统,用于高端材料分析
高精度变温少子寿命测试系统,用于材料精准表征
高端高温少子寿命测试系统,用于深度材料性能分析
基于热释电效应测定晶体表面极性便携式检测系统
高分辨率、高灵敏度的表面光电电压测量解决方案
配备可调能量激发光源
专为集成到手套箱中而设计,可加热至 100°C,高分辨率,高灵敏度表面电压测量
宽波段双棱镜单色仪
专为智能生产环境设计的GWh级电池化成与测试方案
中试规模电池化成与测试:智能、测量驱动的过程控制
集成传感 + 先进充电控制,打造测量驱动的智能化电池化成
双面 PERC/PERC+、HIT、Topcon、晶体硅太阳能电池、迷你模块等的质量控制解决方案
超高灵敏度 TL/OSL 测量仪
业界领先 TL/OSL 测量仪
便携式OSL读数仪,可高效读取与擦除适配的个人辐射剂量计
业界领先的个人剂量OSL系统
Freiberg Instruments新型热释光测量仪
非破坏性释光 岩芯剖面分析新方法
符合 EN 13751:2009 标准,可用于辐照食品检测
台式X射线辐照机
用于CTA读出的PC控制式剂量测量设备,符合ISO/ASTM标准及FDA CFR 21第11部分规定
用于极端工况下高精度吸附测量的磁悬浮天平
全自动高灵敏度拉曼传感器,用于聚合物与半导体分选
辐射污染监测仪
用于运输容器测量的空间分辨探测器杆
高量程剂量率仪
便携式设备,配备 50 mm PIPS 探测器,浓度计算符合 ISO 11929 标准
伽马辐射监测仪
在载流子寿命实验中,如何理解不同实验方法得出的相互矛盾的结果仍然是最大的问题之一。利用我们的新型模拟工具,可以模拟稳态和非稳态载流子寿命。
除了MDP之外,另外两种最重要的非接触式寿命测量方法是QSSPC(准稳态光导度)和µ-PCD(微波检测光导衰减)。 目前,光伏行业面临的最大难题之一是如何使不同方法得出的偏离寿命测量结果具有可比性。借助我们创新的仿真工具,可以模拟稳态和非稳态测量,从而实现结果的比较。
µ-PCD 方法通常在极高的注入电流下工作,且光脉冲极短,仅为 200 ns。其少数载流子寿命是通过光导衰减测定的,这与 MDP 类似。 µ-PCD 通过测量样品对微波的反射来检测光导电性,这使得该方法的灵敏度低于 MDP。
QSSPC 通过将样品与射频桥耦合,检测样品的渗透率变化,从而测定其电导率。 激发光会缓慢调低,以确保样品始终处于准稳态。与MDP的另一处区别在于,该技术使用具有全光谱的闪光灯作为激发源,而非单色激光。
图1展示了不同寿命测量方法通常适用的注入范围。显然,MDP方法优于其他方法,因为它能够覆盖超过7个数量级的注入范围。
在对比上述多种测试方法的测量结果时,必须综合考量注入水平、激励光波长、微波穿透深度、载流子浓度分布剖面,以及与光脉冲持续时长相关的陷阱能级响应特性差异。
更多详情请参阅:
[1] T. Hahn, Thesis, TU Bergakademie, 2009
Fig. 1: Comparison of MDP, µPCD and QSSPC with respect to their typical injection ranges
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