刚从横滨回来——此行进行了许多富有成效的交流，并得出一个明确的结论：随着碳化硅（SiC）技术的不断进步，在整个制造链中，精确的工艺控制变得越来越重要。
今年的ICSCRM大会将超级结器件、掺杂工艺、外延质量、缺陷工程和界面控制等主题置于了核心位置。 其中许多议题与弗莱贝格仪器（Freiberg Instruments）日常从事的计量技术直接相关。
→ 晶体取向：随着掺杂和外延工艺日益复杂，精确的晶圆取向至关重要。XRDmap Pro 可提供快速、自动化的 X 射线取向测量，确保可靠的晶体取向对准。
→ 表面与界面表征：HR-SPSmap 采用非接触式表面光电压测量技术，用于研究晶圆及外延层中的电荷动力学、电子跃迁以及表面/界面特性。
→ 材料质量与缺陷：MDPmap 将高灵敏度的少数载流子寿命和光导电性成像技术相结合，可直观呈现材料质量、外延均匀性以及工艺引起的变化。
→ 深能级缺陷表征：MDpicts 能够对电活性缺陷态进行温度依赖性、非接触式分析——无需制作电接触。
共同点在于：要更好地理解材料和工艺，需要快速、灵敏且无损的计量技术——从研究到生产皆是如此。
感谢所有莅临我们展位、与我们交流思想并分享当前挑战的来宾。很高兴能再次参加 ICSCRM 大会——我们期待着延续在横滨开启的对话。
