应用实例
图1展示了SiC原生晶圆的电阻率Mapping示例，边缘剔除约为5mm。
众所周知，电阻率的测量值不仅受样品温度影响，也与环境温度密切相关。因此，测量探头内集成了两个温度传感器。图2展示了在厚SiC晶锭（>1mm）上进行的1000次重复测量结果。 每次测量后探头返回初始位置，整个过程耗时约6小时。在此期间环境温度发生了变化，该测试很好地验证了温度补偿算法的有效性。采用此温度补偿算法，重复性 σ＜0.15%。
图 1：SiC晶圆电阻率Mapping图示例
图 2：1000次重复测量，每次测试后探头回归初始位置，有温度补偿σ < 0.15%与无温度补偿σ < 0.21%
图 3：6 英寸晶棒进行 5mm 间距全域扫描，分多日、不同时段共计测试 18 次，σ=0.15%。
图 4：动态温度漂移测试--将样品置于低温区域，在其升温过程中完成检测，实验时长约 10 分钟。
